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硅片專用測(cè)溫儀-Impac IS 50-Si-LO plus

 更新時(shí)間:2024-11-15 點(diǎn)擊量:205

碳化硅在半導(dǎo)體領(lǐng)域(SiC)它是一種備受關(guān)注的材料,因其優(yōu)異的高溫和低溫工作性能而備受尊敬。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體,可以在高溫和低溫環(huán)境下保持良好的電氣性能,在許多領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。

溫度變化會(huì)影響碳化硅片的物理、化學(xué)和電學(xué)性能,高溫下其會(huì)熱膨脹、硬度及機(jī)械性能改變、化學(xué)反應(yīng)活性增強(qiáng)、原子擴(kuò)散加快、載流子遷移率變化,低溫時(shí)會(huì)收縮、變脆,在不同溫區(qū)還會(huì)因環(huán)境因素引發(fā)如吸附水汽、影響電學(xué)性能等各類相關(guān)情況。

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Impac IS 50-Si-LO plus測(cè)溫儀采用特殊波長(zhǎng),適用于硅片的測(cè)量,測(cè)溫范圍400-1600 °C,該儀器配備了一根光纖以及一個(gè)可更換的光纖測(cè)頭,不受電磁干擾(如:感應(yīng))的影響,耐溫可高達(dá)250 °C。
根據(jù)不同的測(cè)量距離,有兩個(gè)不同的測(cè)頭可供選擇,可實(shí)現(xiàn)小的光斑尺寸。激光靶光可以用來(lái)瞄準(zhǔn)測(cè)量物體。

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