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碳化SiC晶體生長過程的德國IMPAC紅外測溫儀應(yīng)用

 更新時(shí)間:2024-10-16 點(diǎn)擊量:240


 在高溫區(qū)(2000℃)將碳化硅SiC粉末升華,將碳化硅SiC氣體沿著溫度梯度輸送,在較冷的尾部碳化硅SiC籽品凝聚為晶體。

 

目前國際主流大規(guī)模應(yīng)用的晶體生長方法,具有技術(shù)方案成熟、生長過程簡單、設(shè)備成本低等特點(diǎn)。技術(shù)難點(diǎn)主要為大尺寸襯底制備、缺陷水平控制及良率提升。

 

加熱模式

SiC PVT長晶爐有電感加熱和電阻加熱加熱兩種加熱模式。

 

測溫方式

 

溫度一般需要控制2400℃上下,由于生產(chǎn)過程不可見,為保證晶體生長品質(zhì)需要精確調(diào)控生長溫度,有上測溫、下測溫、或上下測溫等多種形式,高溫計(jì)通過石英窗口、保溫層通孔測試坩堝底部或頂部的溫度。

 

SiC長晶工藝溫度監(jiān)測方案

 

由于設(shè)備結(jié)構(gòu)限制,推薦使用帶有視頻瞄準(zhǔn)的高溫計(jì);可以選用以下型號:

 

推薦一:

IMPAC  ISR 6   ,  1000~3000  ,雙色,高溫,小光斑

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推薦二:

IMPAC  IGAR 6  Smart  ,100~2550℃ ,雙色,寬量程,低高溫兼顧

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推薦三:

 

IMPAC  IGA 6   ,250~2550℃   ,單色,寬量程,低高溫兼顧

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