該工藝生長(zhǎng)溫度需要達(dá)到最高 1700 ℃，還涉及到多種復(fù)雜氣氛環(huán)境，這對(duì)設(shè)備結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和控制帶來(lái)很大的挑戰(zhàn)。

SiC CVD外延設(shè)備一般采用水平熱壁式反應(yīng)腔、水平溫壁式反應(yīng)腔和垂直熱壁式反應(yīng)腔 3 種設(shè)備結(jié)構(gòu)原理形式。

在水平熱壁單片式外延爐中高溫計(jì)通過(guò)石英窗口以及石墨熱壁開(kāi)孔，可以測(cè)試石墨熱壁中段的溫度。根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)設(shè)備情況，高溫計(jì)可選用激光瞄準(zhǔn)或視頻瞄準(zhǔn)形式。